[发明专利]用于形成太阳能电池的空间定位扩散区的掺杂剂的离子注入

摘要

本发明公开了使用掺杂有第一导电类型掺杂剂的覆盖膜层来形成太阳能电池的扩散区(231)。在所述覆盖膜层的选定区域中注入第二导电类型掺杂剂以形成所述第二导电类型的掺杂剂源区域(232)。通过使所述第一导电类型掺杂剂和所述第二导电类型掺杂剂从所述覆盖膜层扩散进下面的硅材料来形成所述太阳能电池的扩散区(233)。所述覆盖膜层可为掺杂有硼的P型掺杂剂源层，其中在所述P型掺杂剂源层的选定区域中注入磷以在所述P型掺杂剂源层中形成N型掺杂剂源区域。

主权项

一种形成太阳能电池的扩散区的方法，所述方法包括：在硅材料上形成包含P型掺杂剂的P型掺杂剂源层；通过离子注入将N型掺杂剂注入所述P型掺杂剂源层的选定区域，以在所述P型掺杂剂源层中形成N型掺杂剂源区域；通过使N型掺杂剂从所述P型掺杂剂源层的N型掺杂剂源区域扩散进所述硅材料，在所述硅材料中形成所述太阳能电池的N型扩散区；以及通过使P型掺杂剂从所述P型掺杂剂源层的其他区域扩散进所述硅材料，在所述硅材料中形成所述太阳能电池的P型扩散区，所述P型掺杂剂源层的其他区域为所述P型掺杂剂源层的未注入N型掺杂剂的区域，其中所述硅材料包括多晶硅，并且所述方法还包括：在单晶硅载体晶片上生长N型单晶硅基板；在所述N型单晶硅基板上生长薄氧化物；在所述薄氧化物上生长所述多晶硅；在所述多晶硅上生长P型多晶硅层；并且氧化所述P型多晶硅层以将所述P型多晶硅转变成P型掺杂氧化物，其中所述P型掺杂氧化物用作所述P型掺杂剂源层。