[发明专利]用于形成太阳能电池的空间定位扩散区的掺杂剂的离子注入

权利要求书

1.一种形成太阳能电池的扩散区的方法，所述方法包括：

在硅材料上形成包含P型掺杂剂的P型掺杂剂源层；

通过离子注入将N型掺杂剂注入所述P型掺杂剂源层的选定区域，以在所述P型掺杂剂源层中形成N型掺杂剂源区域；

通过使N型掺杂剂从所述P型掺杂剂源层的N型掺杂剂源区域扩散进所述硅材料，在所述硅材料中形成所述太阳能电池的N型扩散区；以及

通过使P型掺杂剂从所述P型掺杂剂源层的其他区域扩散进所述硅材料，在所述硅材料中形成所述太阳能电池的P型扩散区，所述P型掺杂剂源层的其他区域为所述P型掺杂剂源层的未注入N型掺杂剂的区域，

其中所述硅材料包括多晶硅，并且所述方法还包括：

在单晶硅载体晶片上生长N型单晶硅基板；

在所述N型单晶硅基板上生长薄氧化物；

在所述薄氧化物上生长所述多晶硅；

在所述多晶硅上生长P型多晶硅层；并且

氧化所述P型多晶硅层以将所述P型多晶硅转变成P型掺杂氧化物，其中所述P型掺杂氧化物用作所述P型掺杂剂源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述P型掺杂剂源层的其他区域包括硼，并且所述P型掺杂剂源的N型掺杂剂源区域包括硼和磷。

3.根据权利要求1所述的方法，其中注入所述P型掺杂剂源层的选定区域的N型掺杂剂包括磷。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅材料包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述P型掺杂剂源层的其他区域包括硼硅酸盐玻璃(BSG)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述P型掺杂剂源层的N型掺杂剂源区域包括硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅材料包括多晶硅，并且所述方法还包括：

在N型单晶硅基板上形成薄氧化物；以及

在所述薄氧化物上形成所述多晶硅，其中所述P型掺杂剂源层形成在所述多晶硅上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述P型掺杂氧化物包括硼掺杂氧化物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述硼掺杂氧化物包括硼硅酸盐玻璃(BSG)。

10.一种使用根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。

11.一种形成太阳能电池的扩散区的方法，所述方法包括：

形成包括第一导电类型掺杂剂的覆盖膜层；

将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂离子注入所述覆盖膜层的选定区域，以在所述覆盖膜层中形成所述第二导电类型掺杂剂的掺杂剂源区域；

将所述第一导电类型掺杂剂从所述覆盖膜层扩散进下面的硅材料，以在所述硅材料中形成所述太阳能电池的第一导电类型的扩散区；以及

将所述第二导电类型掺杂剂从所述覆盖膜层扩散进所述硅材料，以在所述硅材料中形成所述太阳能电池的第二导电类型的扩散区，

其中所述硅材料包括多晶硅，并且所述方法还包括：

在单晶硅载体晶片上生长N型单晶硅基板；

在所述N型单晶硅基板上生长薄氧化物；

在所述薄氧化物上生长所述多晶硅；

在所述多晶硅上生长P型多晶硅层；并且

氧化所述P型多晶硅层以将所述P型多晶硅转变成P型掺杂氧化物，其中所述P型掺杂氧化物用作所述第一导电类型掺杂剂。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电类型包含P型，并且所述第二导电类型包含N型。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述覆盖膜层中的第二导电类型掺杂剂的掺杂剂源区域包括硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述硅材料包括多晶硅。