[发明专利]薄硅太阳能电池的金属箔辅助制造有效
申请号: | 201380072139.0 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104981910B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 林承笵;加布里埃尔·哈利 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板(704)。所述硅板的背面包括所述P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔附接(706)到所述硅板的背面。所述金属箔可有利地用作内置载体,用于在处理所述硅板的正面期间抓握所述硅板。另一个实施例涉及包括硅板(302)的太阳能电池,所述硅板在背面上具有P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔(306)粘合到所述硅板的背面,并且在所述金属箔与所述掺杂区域之间形成触点((604)和(606))。本发明还公开了其他实施例、方面和特征。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 金属 辅助 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:从硅基板割离出硅板,其中所述硅板的背面包括P型掺杂区域和N型掺杂区域;所述割离之后,将具有在50微米到1毫米范围内的厚度的金属箔附接到所述硅板的背面,以形成金属箔支撑的硅板;使用所述金属箔作为用于抓握所述硅板的集成载体,其中,所述金属箔的延伸区域超过所述硅板的周边;在所述金属箔与所述P型掺杂区域之间形成第一组触点;以及在所述金属箔与所述N型掺杂区域之间形成第二组触点,其中在所述金属箔与所述硅板的背面之间的接触点阵列处将所述金属箔附接到所述硅板的背面,所述接触点通过点熔所述金属箔而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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