[发明专利]薄硅太阳能电池的金属箔辅助制造有效
申请号: | 201380072139.0 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104981910B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 林承笵;加布里埃尔·哈利 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 金属 辅助 制造 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
从硅基板割离出硅板,其中所述硅板的背面包括P型掺杂区域和N型掺杂区域;
所述割离之后,将具有在50微米到1毫米范围内的厚度的金属箔附接到所述硅板的背面,以形成金属箔支撑的硅板;
使用所述金属箔作为用于抓握所述硅板的集成载体,其中,所述金属箔的延伸区域超过所述硅板的周边;
在所述金属箔与所述P型掺杂区域之间形成第一组触点;以及
在所述金属箔与所述N型掺杂区域之间形成第二组触点,
其中在所述金属箔与所述硅板的背面之间的接触点阵列处将所述金属箔附接到所述硅板的背面,所述接触点通过点熔所述金属箔而形成。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使用脉冲激光束形成所述触点。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述金属箔中形成指间隔图案。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述指间隔图案在所述金属箔附接到所述背面之前预先形成在所述金属箔中。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括:
在将所述金属箔附接到所述背面之前将所述金属箔附接到第二基板,其中所述第二基板对激光是透明的。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属箔包含铝。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在使用所述金属箔作为用于抓握所述硅板的载体时,将所述硅板的正面纹理化和钝化;以及
封装所述硅板的正面。
8.一种太阳能电池,其包括:
硅板;
所述硅板的背面上的P型掺杂区域和N型掺杂区域;
附接到所述硅板的背面上的具有在50微米到1毫米范围内的厚度的金属箔;
位于所述金属箔与所述P型掺杂区域之间的第一组触点;以及
位于所述金属箔与所述N型掺杂区域之间的第二组触点,
其中在所述金属箔与所述硅板的背面之间的接触点阵列处将所述金属箔附接到所述硅板的背面,所述接触点通过点熔所述金属箔而形成。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池,还包括:
在所述硅板的正面的纹理化并且钝化的表面;
在所述硅板的正面上方的玻璃层;以及
位于所述硅板的正面与所述玻璃层之间的封装材料。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池,其中所述金属箔包含铝。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中所述金属箔包含Al-x%Si,其中x%在百分之零到百分之三的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380072139.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:交联聚合物电解质
- 下一篇:半导体基板、摄像元件及摄像装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的