[发明专利]薄硅太阳能电池的金属箔辅助制造有效
申请号: | 201380072139.0 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104981910B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 林承笵;加布里埃尔·哈利 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 金属 辅助 制造 | ||
本发明的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板(704)。所述硅板的背面包括所述P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔附接(706)到所述硅板的背面。所述金属箔可有利地用作内置载体,用于在处理所述硅板的正面期间抓握所述硅板。另一个实施例涉及包括硅板(302)的太阳能电池,所述硅板在背面上具有P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔(306)粘合到所述硅板的背面,并且在所述金属箔与所述掺杂区域之间形成触点((604)和(606))。本发明还公开了其他实施例、方面和特征。
技术领域
本文中所述主题的实施例整体涉及太阳能电池。更具体地讲,所述主题的实施例涉及太阳能电池制造方法和结构。
背景技术
太阳能电池是为人们所熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。太阳能电池具有在正常工作期间面向太阳以收集太阳辐射的正面,以及与正面相对的背面。照射在太阳能电池上的太阳辐射产生可用于为外部电路(诸如负载)供电的电荷。
太阳能电池制造工艺通常包括涉及掩蔽、蚀刻、沉积、扩散和其他步骤的许多步骤。本发明的实施例提供有利的太阳能电池工艺。
发明内容
本发明的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板。硅板的背面包括P型掺杂区域和N型掺杂区域。将金属箔附接到硅板的背面。该金属箔可有利地用作内置载体,用于在处理硅板的正面期间抓握硅板。
另一个实施例涉及包括硅板的太阳能电池,该硅板在背面上具有P型掺杂区域和N型掺杂区域。将金属箔附接到硅板的背面,并且在金属箔与掺杂区域之间形成触点。
另一个实施例涉及制造太阳能电池的方法,该方法包括将金属箔附接到硅基板的背面。然后可将硅板与硅基板的背面分离。将金属箔用作内置载体,用于在处理硅板的正面期间抓握硅板。
本领域的普通技术人员在阅读包括附图和权利要求书的本公开全文之后,本发明的这些和其他实施例、方面和特征对于他们而言将是显而易见的。
附图说明
结合以下附图考虑时,可通过参考具体实施方式和权利要求得到对主题的更完整理解,其中在所有这些附图中,相似标号指代类似元件。附图未按比例绘制。
图1-6为示意性地示出了根据本发明实施例的太阳能电池的制造的剖视图。
图7为根据本发明实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。
图8为根据本发明的替代实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。
图9为根据图8的方法制造的已制造太阳能电池的剖视图。
图10为根据本发明实施例的在硅板背面上方的金属箔的平面视图。
图11为根据本发明另一个实施例的制造薄硅太阳能电池的方法的流程图。
具体实施方式
在本发明中,提供了许多具体细节,例如设备、结构、材料和方法的例子,以提供对本发明实施例的全面理解。然而,所属领域的技术人员将认识到,可在不具有这些具体细节中的一个或多个具体细节的情况下实践本发明。在其他示例中,不显示或描述众所周知的细节以避免混淆本发明的方面。
本公开提供使用金属箔形成薄硅太阳能电池的技术。有利地,金属箔可用作内置载体,用于在处理硅板的正面期间抓握原本易碎的硅板。随后,金属箔可再用于形成到硅板背面上的P型发射极和N型发射极的金属指和触点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的