[发明专利]半导体装置、集成电路和形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201380072129.7 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104956489A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | A.迈泽;R.魏斯;F.希尔勒;M.韦莱迈尔;M.聪德尔;P.伊尔西格勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置、集成电路和形成半导体装置的方法。一种半导体装置包括形成在具有第一主表面的半导体主体中的晶体管。该晶体管包括：源极区域；漏极区域；沟道区域；漂移区；源极接触，以电气方式连接到源极区域；漏极接触，以电气方式连接到漏极区域；和栅电极，位于沟道区域。沟道区域和漂移区被沿着第一方向设置在源极区域和漏极区域之间，第一方向平行于第一主表面。沟道区域具有沿着第一方向延伸的第一脊的形状。源极接触和漏极接触之一与第一主表面相邻，源极接触和漏极接触中的另一个与第二主表面相邻，第二主表面与第一主表面相对。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 集成电路 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括位于具有第一主表面的半导体主体中的晶体管，所述晶体管包括：源极区域；漏极区域；沟道区域；漂移区；源极接触，以电气方式连接到源极区域；漏极接触，以电气方式连接到漏极区域；栅电极，位于沟道区域，沟道区域和漂移区被沿着第一方向设置在源极区域和漏极区域之间，第一方向平行于第一主表面，沟道区域具有沿着第一方向延伸的第一脊的形状，源极接触和漏极接触之一与第一主表面相邻，源极接触和漏极接触中的另一个与第二主表面相邻，第二主表面与第一主表面相对。
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