[发明专利]SOI晶圆的制造方法以及SOI晶圆在审
| 申请号： | 201380071248.0 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104956464A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 小林德弘;横川功;阿贺浩司 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 以及 晶圆 | ||
【主权项】：
一种SOI晶圆的制造方法，从由单晶硅晶圆构成的接合晶圆的表面注入氢离子形成离子注入层，在将该接合晶圆的离子注入过的表面与由单晶硅晶圆构成的基底晶圆表面通过氧化膜贴合后，进行剥离热处理，在所述离子注入层将接合晶圆剥离，由此制作SOI晶圆，其特征在于，在对所述接合晶圆的贴合面和所述基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过所述氧化膜进行贴合，在所述剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在所述离子注入层剥离所述接合晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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