[发明专利]光探测在审
| 申请号： | 201380070805.7 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105027298A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | A·科利;T·艾彻特梅耶;A·艾登;A·费拉里 | 申请（专利权）人： | 诺基亚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0392;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;杨晓光 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 提供一种装置和方法。第一装置包括：半导体膜(10)；以及包括异质结(21)的至少一个半导体纳米结构(20)，所述异质结(21)被配置为通过引起光生载流子(31)从所述至少一个半导体纳米结构(20)转移(37)到所述半导体膜(10)中来调节所述半导体膜的导电性。第二装置包括：半金属膜；以及包括异质结的至少一个半导体纳米结构，被配置为通过共振能量转移在所述半金属膜中产生载流子对，并被配置为产生用于在所述半金属膜中分离所述产生的载流子对的外电场。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：半导体膜；以及包括异质结的至少一个半导体纳米结构，被配置为通过帮助光生载流子从所述至少一个半导体纳米结构转移到所述半导体膜中来调节所述半导体膜的导电性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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