[发明专利]光探测

权利要求书

1.一种装置，包括：

半导体膜；以及

包括异质结的至少一个半导体纳米结构，被配置为通过帮助光生载流子从所述至少一个半导体纳米结构转移到所述半导体膜中来调节所述半导体膜的导电性。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述异质结通过在所述至少一个半导体纳米结构中分离光生载流子来帮助光生载流子转移到所述半导体膜中。

3.如权利要求1或2所述的装置，其中光生载流子从所述至少一个半导体纳米结构到所述半导体膜中的所述转移产生调节所述半导体膜的导电性的电场。

4.如权利要求1、2或3所述的装置，其中所述异质结为II-型异质结。

5.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述至少一个半导体纳米结构包括形成所述异质结的第一和第二半导体纳米材料。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述第一和第二半导体纳米材料相对于所述半导体膜被布置使得从所述第二半导体纳米材料到所述半导体膜转移光生载流子，而不从所述第一半导体纳米材料到所述半导体膜。

7.如权利要求5或6所述的装置，其中所述第二半导体纳米材料与所述半导体膜直接接触。

8.如权利要求5、6或7所述的装置，其中所述第一半导体纳米材料不与所述半导体膜接触。

9.如权利要求5至8中任一项所述的装置，其中所述第一半导体纳米材料被包在所述第二半导体纳米材料中。

10.如权利要求5至9中任一项所述的装置，进一步包括：从所述第二半导体纳米材料到所述半导体膜延伸的电桥。

11.如权利要求10所述的装置，其中所述电桥为或包括金属。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述金属为或包括以下中的一个或多个：金、铂、钯、镍或铜。

13.如任一项前述权利要求所述的装置，其中所述半导体膜为石墨烯。

14.一种方法，包括：

利用至少一个半导体纳米结构的异质结通过帮助光生载流子从所述至少一个半导体纳米结构转移到所述半导体膜中来调节半导体膜的导电性。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述异质结通过在所述至少一个半导体纳米结构中分离光生载流子来帮助光生载流子转移到所述半导体膜中。

16.如权利要求14或15所述的方法，其中光生载流子从所述至少一个半导体纳米结构到所述半导体膜中的所述转移产生调节所述半导体膜的导电性的电场。

17.如权利要求14、15或16所述的方法，其中所述异质结为II-型异质结。

18.一种装置，包括：

半金属膜；以及

包括异质结的至少一个半导体纳米结构，被配置为通过共振能量转移在所述半金属膜中产生载流子对，并被配置为产生用于在所述半金属膜中分离所述产生的载流子对的外电场。

19.如权利要求18所述的装置，其中所述异质结为II-型异质结。

20.如权利要求18或19所述的装置，其中通过来自于所述至少一个半导体纳米结构中的光生载流子对的共振能量转移产生所述半金属中的所述载流子对。

21.如权利要求18、19或20所述的装置，其中所述异质结被配置为通过分离光生载流子对产生所述外电场。

22.如权利要求21所述的装置，进一步包括在所述至少一个半导体纳米结构和所述半导体膜之间的壁垒，其中通过分离由所述壁垒限制在所述至少一个半导体纳米结构中的所述光生载流子对来产生所述外电场。

23.如权利要求18至22中任一项所述的装置，其中所述至少一个半导体纳米结构包括形成所述异质结的第一半导体纳米材料和第二半导体纳米材料，所述异质结以基本垂直于在所述半金属膜中的产生的载流子对的运动方向的方向延伸。

24.如权利要求18至23中任一项所述的装置，其中所述外电场近似为电偶极场。