[发明专利]连续式等离子体化学气相沉积装置无效
申请号: | 201380068470.5 | 申请日: | 2013-12-12 |
公开(公告)号: | CN104903491A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 玉垣浩;芳贺润二 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/44;C23C16/503 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈国慧;李婷 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种即使持续长时间使用也不花费清扫等工夫、能够在维持稳定的成膜条件的同时以高生产效率进行成膜处理的等离子体化学气相沉积装置(100)。等离子体化学气相沉积装置(100)包括成膜室(1)和与成膜室(1)分开的加载互锁真空室(20、30),是在这些室间输送基材并在基材上生成成膜的连续式。成膜室(1)包括真空腔室(2)、将真空腔室(2)内的空气排出的真空排气机构(3)、向真空腔室(2)内供给原料气体的气体供给部(9)、和使真空腔室(2)内产生等离子体的等离子体产生电源(10)。在成膜室(1)中,基材被分为与等离子体产生电源(10)的一极连接的第1组(18)、和与等离子体产生电源(10)的另一极连接的第2组(19),在相互为不同极性的第1组(18)的基材与第2组(19)的基材之间产生等离子体。 | ||
搜索关键词: | 连续 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种连续式等离子体化学气相沉积装置,包括成膜室和与上述成膜室分开的隔室,在上述成膜室与分开的隔室之间输送基材,并在上述基材上成膜,其特征在于,上述成膜室包括真空腔室、将上述真空腔室内的空气排出的泵、向上述真空腔室内供给原料气体的气体供给部、和使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子体的交流型的等离子体产生电源;在上述成膜室中,上述基材被分为两组,属于与上述等离子体产生电源的一极连接的第1组和与上述等离子体产生电源的另一极连接的第2组中的某一组。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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