[发明专利]等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)源在审
| 申请号： | 201380068267.8 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105008585A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | D.T.克罗利;P.L.摩斯;W.A.小梅雷迪思;J.R.格尔曼;M.L.尼亚尔 | 申请（专利权）人： | 零件喷涂公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/513 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个实施方案是关于一种等离子体源，所述等离子体源包括其中形成空腔的主体和设置于所述空腔内的至少两个自含式磁控管组件。所述磁控管组件彼此并且与所述主体互相电绝缘。在此类实施方案的一种实现方式中，所述自含式磁控管组件包括闭合漂移磁控管组件。公开了其它实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 pecvd | ||
【主权项】：
一种等离子体源，其包括：其中形成空腔的主体；和设置于所述空腔内的至少两个自含式磁控管组件；其中所述磁控管组件彼此并且与所述主体互相电绝缘。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
