[发明专利]基板清洗液以及基板清洗方法有效
| 申请号： | 201380065148.7 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104871296A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 井田纯一;永井达夫 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B08B3/08;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金明花;冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅，将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅，该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L～8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水，由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅，良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 以及 方法 | ||
【主权项】：
基板清洗液，该清洗液是用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液，其特征在于，包含磷酸、含有由硫酸电解而生成的过硫酸的电解硫酸以及水，加热至165℃以上且不到沸点的温度后用于前述清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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