[发明专利]半导体元件用清洗液及使用它的清洗方法

摘要

通过用包含10～30质量％过氧化氢、0.005～10质量％季铵氢氧化物、0.005～5质量％氢氧化钾、0.000005～0.005质量％氨基多亚甲基膦酸、以及水的清洗液进行清洗，从而能够去除硬掩模(5)、有机硅氧烷系薄膜(6)、干法蚀刻残渣(8)以及光致抗蚀层(7)而不腐蚀低介电常数层间绝缘膜(4)、铜或铜合金等的布线材料(2)、阻隔金属层(1)以及阻隔绝缘膜(3)。另外，根据本发明的优选的方式，即使在清洗液中添加了酸的情况下也抑制铜布线的损伤、即使在清洗液添加了钛的情况下也不引起较大的过氧化氢的分解。

主权项

一种清洗液，其为对下述半导体元件进行清洗，去除下述有机硅氧烷系薄膜、硬掩模、干法蚀刻残渣以及光致抗蚀层的清洗液，所述半导体元件为在具有阻隔金属层、铜布线或铜合金布线、低介电常数层间绝缘膜的基板上依次层叠阻隔绝缘膜、低介电常数层间绝缘膜、硬掩模、有机硅氧烷系薄膜、以及光致抗蚀层后，对该光致抗蚀层实施选择性曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案，接着将该光致抗蚀图案作为掩模，对所述有机硅氧烷系薄膜、硬掩模、低介电常数层间绝缘膜以及阻隔绝缘膜实施了干法蚀刻处理的半导体元件，所述清洗液包含10～30质量％过氧化氢、0.005～10质量％季铵氢氧化物、0.005～5质量％氢氧化钾、0.000005～0.005质量％氨基多亚甲基膦酸、以及水。