[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380061385.6 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104823283A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 松林大介;篠原聪始;关根航 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/417;H01 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在TS1表示第一区域的厚度且TG1表示第二区域的厚度时，TS1≥TG1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；氧化物半导体叠层，其中在所述衬底上从所述衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于所述氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在所述氧化物半导体叠层、所述源电极层及所述漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上的栅电极层，其中，所述第一氧化物半导体层包括第一区域，所述栅极绝缘膜包括第二区域，并且，在TS1表示所述第一区域的厚度且TG1表示所述第二区域的厚度的情况下，TS1≥TG1。
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