[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201380060425.5 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104798182A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 石原邦亮 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/20;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 肖特基势垒二极管包括在从第一主表面侧到第二主表面侧的方向上依次布置的：第一电极(72)；III族氮化物膜(20)；绝缘膜(30)，其具有开口；肖特基接触金属膜(40)；接合金属膜(60)；导电支撑衬底(50)；和第二电极(75)。肖特基接触金属膜(40)的一部分可在绝缘膜(30)的一部分上延伸。肖特基势垒二极管还可包括设置在肖特基接触金属膜(40)的凹进部分和接合金属膜(60)之间的嵌入金属膜。因此，能够提供具有高击穿电压并且允许大电流从中流过的低成本肖特基势垒二极管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，包括在从第一主表面侧到第二主表面侧的方向上依次布置的：第一电极、III族氮化物膜、具有开口的绝缘膜、肖特基接触金属膜、接合金属膜、导电支撑衬底、以及第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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