[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管，包括在从第一主表面侧到第二主表面侧的方向上依次布置的：第一电极、III族氮化物膜、具有开口的绝缘膜、肖特基接触金属膜、接合金属膜、导电支撑衬底、以及第二电极。

2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中所述肖特基接触金属膜的一部分在所述绝缘膜的一部分上延伸。

3.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，进一步包括嵌入金属膜，所述嵌入金属膜设置在所述肖特基接触金属膜的凹进部分和所述接合金属膜之间，所述肖特基接触金属膜的所述凹进部分由于所述绝缘膜存在所述开口而形成。

4.根据权利要求3所述的肖特基势垒二极管，进一步包括防扩散金属膜，所述防扩散金属膜设置在所述肖特基接触金属膜和所述接合金属膜之间以及所述嵌入金属膜和所述接合金属膜之间。

5.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，进一步包括防扩散金属膜，所述防扩散金属膜设置在所述肖特基接触金属膜和所述接合金属膜之间。

6.根据权利要求5所述的肖特基势垒二极管，进一步包括嵌入金属膜，所述嵌入金属膜设置在所述防扩散金属膜的凹进部分和所述接合金属膜之间，所述防扩散金属膜的所述凹进部分由于所述绝缘膜存在所述开口而形成。

7.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其中所述第一电极位于所述III族氮化物膜的主表面的一部分上。

8.一种制造肖特基势垒二极管的方法，包括以下步骤：

在基础复合衬底的基础III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，所述基础复合衬底包括基础支撑衬底和所述基础III族氮化物膜，所述基础III族氮化物膜接合到所述基础支撑衬底的一个主表面侧；

在所述III族氮化物膜上，形成具有开口的绝缘膜；

在所述绝缘膜的开口下面的所述III族氮化物膜上以及在所述绝缘膜上，形成肖特基接触金属膜；

通过将导电支撑衬底接合到所述肖特基接触金属膜上，来获得接合衬底，其中使接合金属膜插入在所述导电支撑衬底和所述肖特基接触金属膜之间；

从所述接合衬底去除所述基础复合衬底；以及

在所述III族氮化物膜上形成第一电极并且在所述导电支撑衬底上形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的制造肖特基势垒二极管的方法，其中在形成肖特基接触金属膜的所述步骤中，所述肖特基接触金属膜被形成为所述肖特基接触金属膜的一部分在所述绝缘膜的一部分上延伸。

10.根据权利要求9所述的制造肖特基势垒二极管的方法，进一步包括在形成肖特基接触金属膜的所述步骤之后和获得接合衬底的所述步骤之前，在所述肖特基接触金属膜的凹进部分上形成嵌入金属膜的步骤，其中

通过将所述导电支撑衬底接合到所述肖特基接触金属膜上以及将所述导电支撑衬底接合到所述嵌入金属膜上，来执行获得接合衬底的步骤，其中使所述接合金属膜插入在所述导电支撑衬底和所述肖特基接触金属膜之间以及所述导电支撑衬底和所述嵌入金属膜之间。

11.根据权利要求10所述的制造肖特基势垒二极管的方法，进一步包括在形成嵌入金属膜的所述步骤之后和获得接合衬底的所述步骤之前，在所述肖特基接触金属膜上以及在所述嵌入金属膜上形成防扩散金属膜的步骤，其中

通过将所述导电支撑衬底接合到所述防扩散金属膜上，来执行获得接合衬底的所述步骤，其中使所述接合金属膜插入在所述导电支撑衬底和所述防扩散金属膜之间。

12.根据权利要求9所述的制造肖特基势垒二极管的方法，进一步包括在形成肖特基接触金属膜的所述步骤之后和获得接合衬底的所述步骤之前，在所述肖特基接触金属膜上形成防扩散金属膜的步骤，其中

通过将所述导电支撑衬底接合到所述防扩散金属膜上，来执行获得接合衬底的所述步骤，其中使所述接合金属膜插入在所述导电支撑衬底和所述防扩散金属膜之间。