[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201380056788.1 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN104755651A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;永津光太郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率大于70％、且(222)面的取向率为30％以下，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。通过控制靶的晶粒尺寸或靶的晶粒尺寸和晶体取向，具有降低钽溅射靶的放电电压从而容易产生等离子体，并且抑制成膜中的电压漂移的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。
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