[发明专利]具有数据保留分区的闪速存储器有效
| 申请号： | 201380055341.2 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104769678B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | N.N.扬;C.N.Y.阿维拉;S.T.斯普劳斯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 万里晴 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种NAND闪速存储器芯片包括在相同的存储器阵列中的：具有较小的存储器单元的第一分区，所述较小的存储器单元具有较小的电荷存储元件；以及具有较大的存储器单元的第二分区，所述较大的存储器单元具有较大的电荷存储元件。根据数据的特性、或者期望的特性选择数据以存储在第一或者第二分区中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 分区 电荷存储元件 存储器阵列 闪速存储器 数据保留 特性选择 存储 芯片 期望 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪速存储器裸芯，包括：第一多个连续的字线，所述第一多个连续的字线的每一个包括第一多个闪速存储器单元，所述第一多个闪速存储器单元的每一个具有第一电荷存储元件，所述第一电荷存储元件包括第一物理大小的电荷存储元件；以及第二多个连续的字线，所述第二多个连续的字线的每一个包括第二多个闪速存储器单元，所述第二多个闪速存储器单元的每一个具有第二电荷存储元件，所述第二电荷存储元件包括第二物理大小的电荷存储元件，所述第二物理大小大于所述第一物理大小。
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