[发明专利]用于制造光电子组件的方法和光电子组件有效
申请号: | 201380050998.X | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN104737291B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 安德鲁·英格尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/30;H01L27/15;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在不同的实施例中提供一种用于制造光电子组件的方法。所述光电子组件具有第一光电子器件和至少第二光电子器件,所述第二光电子器件与所述第一光电子器件串联连接。在所述方法中提供衬底(10)。在衬底(10)上构成能导电的第一层(12)。在能导电的第一层(12)上构成能导电的第二层(14)。以结构化的方式将绝缘材料施加到能导电的第二层(14)和衬底(10)上,使得由绝缘材料形成至少一个第一绝缘区域(28),所述第一绝缘区域将用于设置第一光电子器件的第一器件区域(16)相对于用于设置第二光电子器件的第二器件区域(18)电绝缘;第二绝缘区域(30),所述第二绝缘区域将第二器件区域(18)相对于第一接触区域(36)电绝缘;第三绝缘区域(32),所述第三绝缘区域设置在第一器件区域(16)的背离第一绝缘区域(28)的一侧上;和第四绝缘区域(34),所述第四绝缘区域设置在第一绝缘区域和第二绝缘区域(28,30)之间的第二器件区域(18)的背离第二绝缘区域(30)的一侧上,其中在第一绝缘区域(28)和第四绝缘区域(34)之间构成有第三接触区域(46)。在第一器件区域(16)中构成第一光学功能层(52)并且在第二器件区域(18)中构成第二光学功能层(54)。以结构化的方式将能导电的电极层施加到光学功能层(52,54)和第一接触区域和第三接触区域(36,46)上,使得第一光学功能层(52)与第三接触区域(46)电耦联并且第二光学功能层(54)与第一接触区域(36)电耦联。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 光电子 组件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造光电子组件的方法,所述光电子组件具有第一光电子器件和至少第二光电子器件,所述第二光电子器件与所述第一光电子器件串联连接,所述方法包括:‑在衬底(10)上构成能导电的第一层(12),‑在能导电的所述第一层(12)上构成能导电的第二层(14),‑以结构化的方式将绝缘材料施加到能导电的所述第二层(14)和所述衬底(10)上,使得由所述绝缘材料形成:至少一个第一绝缘区域(28),所述第一绝缘区域将用于设置所述第一光电子器件的第一器件区域(16)相对于用于设置所述第二光电子器件的第二器件区域(18)电绝缘;第二绝缘区域(30),所述第二绝缘区域将所述第二器件区域(18)相对于第一接触区域(36)电绝缘;第三绝缘区域(32),所述第三绝缘区域设置在所述第一器件区域(16)的背离所述第一绝缘区域(28)的一侧上;和第四绝缘区域(34),所述第四绝缘区域设置在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域(28,30)之间的所述第二器件区域(18)的背离所述第二绝缘区域(30)的一侧上,其中在所述第一绝缘区域(28)和所述第四绝缘区域(34)之间构成有第三接触区域(46),‑在所述第一器件区域(16)中构成第一光学功能层(52)并且在所述第二器件区域(18)中构成第二光学功能层(54),和‑以结构化的方式将能导电的电极层施加到所述光学功能层(52,54)和所述第一接触区域和所述第三接触区域(36,46)上,使得所述第一光学功能层(52)与所述第三接触区域(46)电耦联并且所述第二光学功能层(54)与所述第一接触区域(36)电耦联,其中在施加所述光学功能层(52,54)之前移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16,18)中的能导电的所述第二层(14),并且在移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16,18)中的能导电的所述第二层(14)之后将所述光学功能层(52,54)施加到能导电的所述第一层(12)上,并且其中在以结构化的方式施加所述绝缘材料之后并且在移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16,18)中的能导电的所述第二层(14)之前将保护层(40)以结构化的方式施加到能导电的所述第二层(14)上,使得所述接触区域借助所述保护层(40)的材料覆盖,在移除能导电的所述第二层(14)时所述保护层(40)保护所述接触区域,使得能导电的所述第二层(14)保留在所述接触区域中,以及在所述第一器件区域和/或第二器件区域(16,18)中移除能导电的所述第二层(14)之后移除所述保护层(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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