[发明专利]用于制造光电子组件的方法和光电子组件有效
申请号: | 201380050998.X | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN104737291B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 安德鲁·英格尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/30;H01L27/15;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 光电子 组件 方法 | ||
1.一种用于制造光电子组件的方法,所述光电子组件具有第一光电子器件和至少第二光电子器件,所述第二光电子器件与所述第一光电子器件串联连接,所述方法包括:
-在衬底(10)上构成能导电的第一层(12),
-在能导电的所述第一层(12)上构成能导电的第二层(14),
-以结构化的方式将绝缘材料施加到能导电的所述第二层(14)和所述衬底(10)上,使得由所述绝缘材料形成:至少一个第一绝缘区域(28),所述第一绝缘区域将用于设置所述第一光电子器件的第一器件区域(16)相对于用于设置所述第二光电子器件的第二器件区域(18)电绝缘;第二绝缘区域(30),所述第二绝缘区域将所述第二器件区域(18)相对于第一接触区域(36)电绝缘;第三绝缘区域(32),所述第三绝缘区域设置在所述第一器件区域(16)的背离所述第一绝缘区域(28)的一侧上;和第四绝缘区域(34),所述第四绝缘区域设置在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域(28,30)之间的所述第二器件区域(18)的背离所述第二绝缘区域(30)的一侧上,其中在所述第一绝缘区域(28)和所述第四绝缘区域(34)之间构成有第三接触区域(46),
-在所述第一器件区域(16)中构成第一光学功能层(52)并且在所述第二器件区域(18)中构成第二光学功能层(54),和
-以结构化的方式将能导电的电极层施加到所述光学功能层
(52,54)和所述第一接触区域和所述第三接触区域(36,46)上,使得所述第一光学功能层(52)与所述第三接触区域(46)电耦联并且所述第二光学功能层(54)与所述第一接触区域(36)电耦联,
其中在施加所述光学功能层(52,54)之前移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16,18)中的能导电的所述第二层(14),并且在移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16,18)中的能导电的所述第二层(14)之后将所述光学功能层(52,54)施加到能导电的所述第一层(12)上,并且其中
在以结构化的方式施加所述绝缘材料之后并且在移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16,18)中的能导电的所述第二层(14)之前将保护层(40)以结构化的方式施加到能导电的所述第二层(14)上,使得所述接触区域借助所述保护层(40)的材料覆盖,
在移除能导电的所述第二层(14)时所述保护层(40)保护所述接触区域,使得能导电的所述第二层(14)保留在所述接触区域中,以及
在所述第一器件区域和/或第二器件区域(16,18)中移除能导电的所述第二层(14)之后移除所述保护层(40)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在以结构化的方式施加所述绝缘材料之前在能导电的所述第一层和能导电的所述第二层(12,14)中构成第一沟道(24)和至少一个第二沟道(26),使得所述衬底(10)在所述第一沟道和所述第二沟道(24)中空出,并且其中在以结构化的方式施加所述绝缘材料时,所述第一沟道和所述第二沟道(24,26)用所述绝缘材料来填充,使得所述绝缘材料叠加所述第一沟道和所述第二沟道(24,26)的边缘,其中所述第一沟道(24)至少部分地对所述第一绝缘区域(28)限界,并且所述第二沟道(26)至少部分地对所述第二绝缘区域(30)限界。
3.根据权利要求1所述的方法,其中在施加所述光学功能层(52,54)之前加热所述绝缘材料,使得所述绝缘材料变形并且封装能导电的所述第二层(14)的棱边和/或侧面。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述电极层具有:第一电极部段(48),通过所述第一电极部段将所述第一光学功能层(52)与所述第三接触区域(46)电耦联;和第二电极部段(50),通过所述第二电极部段将所述第二光学功能层(54)与所述第一接触区域(36)电耦联。
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