[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380048700.1 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104662762B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/06;H02J1/00;H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了在电源被反向连接于半导体装置的反接时能够有效地切断电流路径，采用如下的结构。NMOS晶体管(14)的栅极与电源端子(11)连接，源极和背栅连接于内部接地节点(17)，漏极与接地端子(12)连接。NMOS晶体管(15)的栅极与接地端子(12)连接，源极和背栅连接于内部接地节点(17)，漏极与电源端子(11)连接。内部电路(13)的电源端子与电源端子(11)连接，内部电路(13)的接地端子与内部接地节点(17)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一个第一导电型MOS晶体管，其具有与第一电源端子连接的栅极、与内部第二电源节点连接的源极和背栅、以及与第二电源端子连接的漏极；第二个第一导电型MOS晶体管，其具有与所述第二电源端子连接的栅极、与所述内部第二电源节点连接的源极和背栅、以及与所述第一电源端子连接的漏极；以及内部电路，其被配置为，在通常连接时基于所述第一电源端子与所述内部第二电源节点之间的电压进行工作，在所述第一个第一导电型MOS晶体管中，当漏极被施加ESD浪涌时，寄生二极管的击穿动作的开始电压是从电源提供的电压以上、且所述第二个第一导电型MOS晶体管的栅极绝缘膜的破坏电压以下的电压，能够使ESD浪涌电流流过，在所述第二个第一导电型MOS晶体管中，当漏极被施加ESD浪涌时，寄生二极管的击穿动作的开始电压是从电源提供的电压以上、且所述第一个第一导电型MOS晶体管的栅极绝缘膜的破坏电压以下的电压，能够使ESD浪涌电流流过。
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