[发明专利]光刻方法和设备有效
| 申请号： | 201380048627.8 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104641298B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | E·鲁普斯特拉;J·范斯库特;T·森吉尔斯;C·瓦伦汀;A·范帝杰赛欧东克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。 | ||
| 搜索关键词： | 图案化区域 曝光 衬底 曝光图案 中心点 方法和设备 光刻设备 数值孔径 尺寸比 缩小率 光刻 图案 重复 | ||
【主权项】：
1.一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，其中所述光刻设备具有至少5倍的缩小率和至少0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光所述图案化区域的第一部分，所述第一部分具有比常规曝光的尺寸小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光所述图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸小；所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，所述第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应；其中使用同一掩模曝光所述第一部分和所述一个或多个附加部分，其中所述第一图案化区域和所述第二图案化区域位于同一掩膜上，并且所述掩模被沿着横向于扫描方向的方向移动以分别曝光所述第一图案化区域和所述第二图案化区域。
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