[发明专利]光刻方法和设备

权利要求书

1.一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，其中所述光刻设备具有至少5倍的缩小率和至少0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：

使用第一曝光在衬底上曝光所述图案化区域的第一部分，所述第一部分具有比常规曝光的尺寸小的尺寸；和

使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光所述图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸小；

所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，所述第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应；

其中使用同一掩模曝光所述第一部分和所述一个或多个附加部分，

其中所述第一图案化区域和所述第二图案化区域位于同一掩膜上，并且所述掩模被沿着横向于扫描方向的方向移动以分别曝光所述第一图案化区域和所述第二图案化区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离是大约26mm或大约33mm。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一图案化区域的尺寸与常规曝光的尺寸对应。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一图案化区域的尺寸为大约26mm乘大约33mm。

5.如权利要求1所述的方法，其中每个图案化区域包括多个管芯。

6.如权利要求1所述的方法，其中每次曝光包括多个管芯。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中通过曝光所述第一部分和一个附加部分形成每个图案化区域。

8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中通过曝光所述第一部分和三个附加部分形成每个图案形成区域。

9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中曝光是扫描曝光。

10.如权利要求9所述的方法，其中衬底上曝光的每个部分的尺寸在横向于扫描方向的方向上小于大约17mm。

11.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第一部分和所述一个或多个附加部分包括管芯的不同部分，所述一个或多个附加图案部分包括与第一图案部分的特征相连的特征，其中使用同一掩模曝光第一图案部分和第二图案部分，所述方法还包括在衬底上曝光第一图案部分之后移动掩模，以允许在衬底上曝光第二图案部分，反之亦然。

12.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述光刻设备具有至少8倍的缩小率。

13.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述光刻设备具有至少0.6的数值孔径。

14.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述光刻设备配置成对尺寸是大约17mm乘大约26mm的第一部分曝光。

15.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述光刻设备配置成对尺寸是大约17mm乘大约13mm的第一部分曝光。

16.一种EUV光刻设备，包括：

支撑结构，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在EUV辐射束的横截面上将图案赋予EUV辐射束以形成图案化辐射束；

衬底台，构造成保持衬底；和

投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上；

其中所述投影系统具有至少5倍的缩小率和至少0.4的数值孔径；和

其中所述EUV光刻设备还包括控制系统，其配置成移动支撑结构和衬底台使得：

使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，所述第一部分的尺寸比常规曝光的尺寸小；和

使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸小；

重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，所述第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，

其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应；以及

其中使用同一掩模执行第一曝光以及所述一次或多次附加的曝光，

其中所述第一图案化区域和所述第二图案化区域位于同一掩膜上，并且所述掩模被沿着横向于扫描方向的方向移动以分别曝光所述第一图案化区域和所述第二图案化区域。