[发明专利]具有垂直位线和阶梯字线以及垂直开关的三维存储器及其方法

摘要

一种具有垂直局部位线和全局位线的三维存储器包括形成为垂直结构的薄膜晶体管(TFT)形式的成一线垂直开关，以将局部位线转换到全局位线。TFT实施为由强连接选择栅极转换由局部位线携载的最大电流，强连接选择栅极必须配合在局部位线周围的空间内。选择栅极的最大厚度用沿着x方向从局部位线的两侧专门占据该空间的选择栅极实现。一行的用于奇数和偶数位线的开关交错排列且在z方向偏移，从而偶数和奇数局部位线的选择栅极沿着x方向不重合。卷绕的选择栅极进一步增强了转换。

主权项

一种非易失性存储器，包括:存储器元件，布置成三维图案，由具有x、y和z方向的直角坐标限定，并且z方向，从底平面到顶平面的多个平行平面堆叠在半导体基板之上；多个局部位线，在z方向延伸通过该多个平行平面并且布置成位线柱的二维矩形阵列，具有在x方向的行和y方向的列；多个全局位线，延伸在y方向；以及垂直开关，与沿着z方向的每个局部位线成一线以转换该局部位线的一端到对应的全局位线，所述垂直开关是薄膜晶体管，其晶体管结与该局部位线成一线且具有选择栅极，该选择栅极与所述多个局部位线绝缘，并且使其厚度沿着x方向延伸在该局部位线和在该局部位线每一侧上的相邻局部位线之间，其中，一行局部位线具有对应行的薄膜晶体管；并且偶数行的局部位线的薄膜晶体管在z方向从奇数行的局部位线的薄膜晶体管偏移，从而该偶数行和奇数行的局部位线的该选择栅极不重合。