[发明专利]用以改良控制的利用直流电辅助射频功率的半导体处理

摘要

所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

主权项

一种半导体处理系统，包括：处理腔室，该处理腔室包括：上盖组件，该上盖组件限定前体入口，前体物种输送通过该前体入口；接地电极；栅电极，配置在该上盖组件和该接地电极之间，并于该腔室内的该栅电极和该上盖组件之间限定第一等离子体区域以及于该腔室内的该栅电极和该接地电极之间限定第二等离子体区域；环形传导性插件，该环形传导性插件耦接至该处理腔室的侧壁的一部分内并且限定该侧壁的该部分，其中该侧壁的该部分位在该第一等离子体区域的周边处的该上盖组件和该栅电极之间；第一绝缘构件，置放以使该栅电极自该传导性插件电气隔离；第二绝缘构件，置放以使该上盖组件自该传导性插件电气隔离，其中该第一绝缘构件及该第二绝缘构件的至少其中一个包括该处理腔室的该侧壁的一部分；第一电源，其电气耦接于该上盖组件；及第二电源，其电气耦接于该上盖组件、该栅电极或该传导性插件中至少其一。