[发明专利]用以改良控制的利用直流电辅助射频功率的半导体处理

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：

处理腔室，该处理腔室包括：

上盖组件，该上盖组件限定前体入口，前体物种输送通过该前体入口；

接地电极；

栅电极，配置在该上盖组件和该接地电极之间，并于该腔室内的该栅电极和该上盖组件之间限定第一等离子体区域以及于该腔室内的该栅电极和该接地电极之间限定第二等离子体区域；

环形传导性插件，该环形传导性插件耦接至该处理腔室的侧壁的一部分内并且限定该侧壁的该部分，其中该侧壁的该部分位在该第一等离子体区域的周边处的该上盖组件和该栅电极之间；

第一绝缘构件，置放以使该栅电极自该传导性插件电气隔离；

第二绝缘构件，置放以使该上盖组件自该传导性插件电气隔离，其中该第一绝缘构件及该第二绝缘构件的至少其中一个包括该处理腔室的该侧壁的一部分；

第一电源，其电气耦接于该上盖组件；及

第二电源，其电气耦接于该上盖组件、该栅电极或该传导性插件中至少其一。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包括第一开关，该第一开关电气耦接于该第二电源且可切换以使该第二电源电气耦接至该上盖组件、该栅电极或该传导性插电中其一。

3.如权利要求2所述的半导体处理系统，进一步包括第二开关，该第二开关可切换以电气耦接该上盖组件、该接地电极或该栅电极中的至少两者。

4.如权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，该第一开关切换以使该第二电源电气耦接于该传导性插件，且其中该第二开关切换以电气耦接该栅电极和该接地电极。

5.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，该第二电源被配置以输送负电压至该传导性插件，且其中该第一电源被配置以于电子通量被引导至该栅电极的该第一等离子体区域中引发等离子体。

6.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，该第二电源被配置以输送正电压至该传导性插件，且其中该第一电源被配置以于离子通量被引导至该栅电极的该第一等离子体区域中引发等离子体。

7.如权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，该第一开关切换以使该第二电源电气耦接于该上盖组件，使得该第一电源和该第二电源两者皆电气耦接于该上盖组件，且其中该第二开关切换以电气耦接该栅电极和该接地电极。

8.如权利要求7所述的半导体处理系统，其特征在于，该第二电源被配置以对该上盖组件提供恒定电压，且该第一电源被配置以对该上盖组件提供脉冲式频率功率。

9.如权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，该第一开关切换以使该第二电源电气耦接于该上盖组件，使得该第一电源和该第二电源两者皆电气耦接于该上盖组件，且其中该第二开关切换以电气耦接该栅电极与该上盖组件。

10.如权利要求9所述的半导体处理系统，其特征在于，该第二电源被配置以对该上盖组件提供恒定电压，且该第一电源被配置以对该上盖组件提供脉冲式频率功率。

11.如权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，该第一开关切换以使该第二电源电气耦接于该栅电极。

12.如权利要求11所述的半导体处理系统，其特征在于，该第二电源被配置以对该栅电极提供恒定电压，且其中该第一电源被配置以对该上盖组件提供脉冲式频率功率。

13.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该第一电源是RF电源，且该第二电源是DC电源。