[发明专利]钨烧结体溅射靶和使用该靶形成的钨膜在审
| 申请号： | 201380040553.3 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104508176A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 神永贤吾;大桥一允 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;B22F3/15;C22C1/04;C23C14/14;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。本发明的课题在于，通过减少钨烧结体溅射靶的钼，并且调节烧结时所使用的W粉末的粒度分布，从而降低使用该钨烧结体靶进行溅射而得到的钨膜的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 溅射 使用 形成 | ||
【主权项】：
一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D‑SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。
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