[发明专利]半导体膜和半导体元件有效
| 申请号： | 201380037609.X | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104471679B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边明;汤本彻 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明通过以包含无机半导体颗粒和介电常数为2以上的化合物或对于无机半导体颗粒具有还原力的化合物的涂布液进行涂布来制造半导体膜。太阳能电池(400)在基板(410)上具备阳极层(420)、由本发明的p型半导体膜构成的层(430)、包含介电常数为2以上的化合物的结合界面层(440)、由本实施方式的n型半导体膜构成的层(450)以及阴极层(460)。本发明能够提供一种发电效率优异且低成本的具备结合界面层的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体膜形成用涂布液，其包含无机半导体颗粒和介电常数为2以上的化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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