[发明专利]具有硅电极的顺应性双极微型器件转移头

摘要

本发明描述了一种顺应性双极微型器件转移头阵列以及由SOI衬底形成顺应性双极微型器件转移阵列的方法。在一个实施例中，顺应性双极微型器件转移头阵列包括基础衬底和在基础衬底上方的图案化硅层。图案化硅层可包括第一硅互连件和第二硅互连件以及与第一硅互连件和第二硅互连件电连接且能够偏转到位于基础衬底和硅电极之间的一个或多个空腔内的第一硅电极阵列和第二硅电极阵列。

主权项

一种顺应性双极转移头阵列，包括：基础衬底；在所述基础衬底上方的图案化硅层，所述图案化硅层包括第一硅互连件、与所述第一硅互连件电连接的第一硅电极阵列、第二硅互连件以及与所述第二硅互连件电连接的第二硅电极阵列，其中所述第一硅电极阵列和所述第二硅电极阵列的每个硅电极包括电极引线和台面结构，并且每个台面结构在所述第一硅互连件和所述第二硅互连件上方突出，并且每个硅电极能够偏转到位于所述基础衬底和所述硅电极之间的空腔内，其中所述第一硅电极阵列和所述第二硅电极阵列对齐且彼此电绝缘；和电介质层，所述电介质层覆盖所述第一硅电极阵列和所述第二硅电极阵列的每个台面结构的顶部表面。