[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201380032979.4 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104380546B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 川口真生;春日井秀纪;能崎信一郎 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/04;H01L33/32;H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 安香子,黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光元件(100)具备由III族氮化物半导体构成的n型光导层(3)、活性层(4)、以及p型光导层(5)，n型光导层(3)包括，将III族氮化物半导体A和III族氮化物半导体B反复层叠而成的半导体超晶格，在将III族氮化物半导体A以及III族氮化物半导体B的禁带宽度分别设为Eg(A)以及Eg(B)的情况下，成为Eg(A)＞Eg(B)，III族氮化物半导体A，由膜中所包含的氧(O)为1×1018cm‑3以上的AlInN构成，III族氮化物半导体A的膜厚为5nm以下，电流沿着半导体超晶格的层叠方向注入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，该半导体发光元件具备n型层、活性层以及p型层，所述n型层由III族氮化物半导体构成，所述n型层包括，将III族氮化物半导体A和III族氮化物半导体B反复层叠而成的半导体超晶格，在将所述III族氮化物半导体A以及III族氮化物半导体B的禁带宽度分别设为Eg(A)以及Eg(B)的情况下，成为Eg(A)＞Eg(B)，所述III族氮化物半导体A，由膜中所包含的氧(O)为1×1018cm‑3以上的AlInN构成，所述III族氮化物半导体A的膜厚为5nm以下，电流沿着所述半导体超晶格的层叠方向注入。
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