[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，

该半导体发光元件具备n型层、活性层以及p型层，所述n型层由III族氮化物半导体构成，

所述n型层包括，将III族氮化物半导体A和III族氮化物半导体B反复层叠而成的半导体超晶格，

在将所述III族氮化物半导体A以及III族氮化物半导体B的禁带宽度分别设为Eg(A)以及Eg(B)的情况下，成为Eg(A)＞Eg(B)，

所述III族氮化物半导体A，由膜中所包含的氧(O)为1×10¹⁸cm^-3以上的AlInN构成，

电流沿着所述半导体超晶格的层叠方向注入。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，

所述III族氮化物半导体B由n型GaN或n型InGaN构成。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，

所述III族氮化物半导体B包含氧(O)或硅(Si)。

4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

在衬底上将所述n型层、活性层以及p型层按照该顺序层叠。

5.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

在衬底上将所述p型层、活性层以及n型层按照该顺序层叠。

6.如权利要求4或5所述的半导体发光元件

所述衬底，是GaN衬底或GaN模板衬底。

7.如权利要求1至6的任一项所述的半导体发光元件，

在所述半导体超晶格中，所述III族氮化物半导体A和所述III族氮化物半导体B反复的周期，比10nm短。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件，

在所述半导体超晶格中，所述III族氮化物半导体A和所述III族氮化物半导体B反复的周期，比5nm短。

9.如权利要求1至8的任一项所述的半导体发光元件，

所述n型层中包括第一折射率氮化物半导体膜和所述半导体超晶格交替层叠而成的n型分布布拉格反射镜，

所述n型分布布拉格反射镜，

在将所述第一折射率氮化物半导体膜的折射率设为n1、将所述第一折射率氮化物半导体膜的膜厚设为d1、将所述半导体超晶格的折射率设为n2、将所述半导体超晶格的所述III族氮化物半导体A和所述III族氮化物半导体B反复层叠的总计膜厚设为d2、将所述活性层的发光波长设为λ的情况下，

满足n1＞n2且n1×d1＝n2×d2＝1/4×λ的关系。