[发明专利]荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置有效
| 申请号： | 201380030222.1 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104350127B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 竹田豪;野野垣良三 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华,石磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置，所述荧光体的表面处理方法在(Sr,Ca)AlSiN3氮化物荧光体中、能够使其耐湿可靠性提高而不会使光学特性下降。进行浸渍工序和热处理工序，所述浸渍工序是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN3晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中(步骤1)；所述热处理工序是将浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时(步骤2)。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 表面 处理 方法 发光 装置 以及 照明 | ||
【主权项】：
一种荧光体的表面处理方法，具有如下工序：浸渍工序，其是将基质晶体为(Sr,Ca)AlSiN3晶体的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中；热处理工序，其是将所述浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时。
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- 2013-06-14 - 2017-06-06 - C09K11/08
- 在不同的实施例中提供一种用于提供电磁辐射的设备(10)。设备(10)具有用于产生激发辐射(14)的辐射装置(12)和至少一个用于产生转换辐射(22)的转换元件(20，26)。转换元件(20，26)具有至少一种发光材料并且与辐射装置(12)间隔开地设置在激发辐射(14)的光路中。作为发光材料适用的是d50在10至30μm的范围中的粗粒的氮化物硅酸盐。
- 荧光体片材-201480034903.X
- 堀智充;伊藤靖 - 迪睿合电子材料有限公司
- 2014-06-17 - 2017-03-29 - C09K11/08
- 本发明提供一种能以容易的结构防止荧光体的劣化的荧光体片材。本发明的荧光体片材具备水蒸气阻隔膜(12、13)、及被水蒸气阻隔膜(12、13)夹持且含有硫化物系荧光体的荧光体层(11)，水蒸气阻隔膜(12、13)的端部被盖构件(14)密封。由此，可防止水蒸气从水蒸气阻隔膜(12、13)的端部向荧光体层(11)侵入，可防止荧光体层(11)中的荧光体的劣化。
- 专利分类
