[发明专利]荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光体的表面处理方法、利用该方法处理的荧光体、使用该荧光体的发光装置以及照明装置。更详细地说，本发明涉及一种基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN₃晶体实质上相同的晶体结构的荧光体的表面处理技术。

背景技术

含有Sr的氮化物荧光体容易因氧、热以及水分等而发生劣化，尤其是存在耐湿可靠性的问题。关于含有Sr的氮化物荧光体的耐湿可靠性劣化的原因，人们认为例如因与大气中的水分反应、或与水接触的工序等，而在含有Sr的荧光体表面上容易形成含氢氧化锶的水解层。

作为使荧光体的耐湿性提高的方法有如下方法：利用金属烷氧化物或其衍生物来处理荧光体表面的方法(参照专利文献1)；在荧光体表面形成含有氟的表面处理层的方法(参照专利文献2)。以往，以提高耐热性为目的，有如下方法：利用含磷的化合物，对由氮化物类荧光材料组成的荧光体进行处理(参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-111080号公报

专利文献2：日本特开2012-31425号公报

专利文献3：日本特开2006-269938号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，利用金属烷氧化物或其衍生物来处理荧光体的方法，存在导致荧光体彼此之间凝聚的问题。另外，在荧光体表面形成含有氟的表面处理层的方法存在如下问题：在安装LED(Light Emitting Diode：发光二极管)时进行组合使用的树脂或荧光体因氟而发生劣化的问题。并且，在专利文献3所记载的表面处理方法中，由于使用磷酸的金属盐而作为含磷的化合物，所以存在因它们所含的镧等而使光学特性下降的问题。

在此，本发明的主要目的是提供一种荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置，所述荧光体的表面处理方法在(Sr,Ca)AlSiN₃氮化物荧光体中、能够使其耐湿可靠性提高而不会使光学特性下降。

用于解决问题的方法

本发明的荧光体的表面处理方法具有浸渍工序和热处理工序，所述浸渍工序是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN₃晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中；所述热处理工序是将所述浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时。

在本发明的荧光体的表面处理方法中，优选将所述磷酸铵中的磷含有率设为0.1～2.0质量％。

在本发明的荧光体的表面处理方法中，优选进行水洗工序，所述水洗工序是对所述热处理工序后的荧光体进行水洗。

本发明的荧光体是，其基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN₃晶体实质上相同的晶体结构，并且是实施了进行浸渍工序和热处理工序的表面处理而得到的，所述浸渍工序是将荧光体浸渍于含有磷酸铵的水溶液中；所述热处理工序是将所述浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时。

本发明的荧光体优选为，将用于所述表面处理的磷酸铵的磷含有率设为0.1～2.0质量％。

在所述表面处理中，优选进行水洗工序，所述水洗工序是对所述热处理工序后的荧光体进行水洗。

本发明的荧光体的磷含有率优选为0.003～1质量％。

本发明的发光装置具有所述荧光体。

本发明的照明装置具备所述发光装置。

发明效果

与以往的(Sr,Ca)AlSiN₃氮化物荧光体相比，根据本发明，能够提高荧光体的耐湿可靠性而不会使光学特性下降。

附图说明

图1是本发明实施方式的荧光体的表面处理方法的流程图。

具体实施方式

以下，对用于实施本发明的方式进行详细说明。

图1是本发明实施方式的荧光体的表面处理方法的流程图。如图1所示，本实施方式的荧光体的表面处理方法可进行如下工序：浸渍工序，其是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN₃晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中(步骤1)；和热处理工序，其是将浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时(步骤2)。根据需要，能够对热处理工序后的荧光体进行图1所示的水洗工序(步骤3)。

[浸渍工序：步骤1]