[发明专利]荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置有效
| 申请号： | 201380030222.1 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104350127B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 竹田豪;野野垣良三 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华,石磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 表面 处理 方法 发光 装置 以及 照明 | ||
1.一种荧光体的表面处理方法，具有如下工序：
浸渍工序，其是将基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN3晶体实质上相同的晶体结构的荧光体、浸渍于含有磷酸铵的水溶液中；
热处理工序，其是将所述浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时。
2.根据权利要求1所述的荧光体的表面处理方法，其中，所述磷酸铵中的磷含有率为0.1～2.0质量％。
3.根据权利要求1或2所述的荧光体的表面处理方法，其中，所述荧光体的表面处理方法具有水洗工序，所述水洗工序是对所述热处理工序后的荧光体进行水洗。
4.一种荧光体，其中，
所述荧光体的基质晶体具有与(Sr,Ca)AlSiN3晶体实质上相同的晶体结构，
所述荧光体是实施了进行浸渍工序和热处理工序的表面处理而得到的，所述浸渍工序是将荧光体浸渍于含有磷酸铵的水溶液中；所述热处理工序是将所述浸渍工序后的荧光体在250～550℃的温度环境下保持2～24小时。
5.根据权利要求4所述的荧光体，其中，所述磷酸铵的磷含有率为0.1～2.0质量％。
6.根据权利要求4或5所述的荧光体，其中，在所述表面处理中进行水洗工序，所述水洗工序是对所述热处理工序后的荧光体进行水洗。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的荧光体，其中，所述荧光体的磷含有率为0.003～1质量％。
8.一种发光装置，其具有权利要求4至7中任一项所述的荧光体。
9.一种照明装置，其具备权利要求8所述的发光装置。
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