[发明专利]半导体装置

摘要

为了抑制焊盘开口部之下的裂缝，并且不增大芯片尺寸，保护膜6具有使一部分的最上层金属膜3露出的焊盘开口部9。该焊盘开口部9为矩形且为正方形，开口宽度为d0。第二金属膜2在焊盘开口部9之下具有开口部。该开口部为矩形且为正方形，开口宽度为d4。保护膜6的开口端与第二金属膜2的开口端的距离为d3。第二金属膜2为矩形的环形状，在焊盘开口部9的内侧露出距离d3。

主权项

一种具有由多层金属膜构成的焊盘构造的半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底的表面；第一金属膜，设置在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，设置在所述第一金属膜上；第一个第二金属膜，设置在所述第二绝缘膜上；第一通路，连接设置在所述第二绝缘膜的所述第一金属膜与所述第一个第二金属膜；第三绝缘膜，设置在所述第一个第二金属膜上；最上层金属膜，设置在所述第三绝缘膜上；第二通路，连接设置在所述第三绝缘膜的所述第一个第二金属膜与所述最上层金属膜；以及保护膜，设置在所述最上层金属膜上，并且具有用于露出所述最上层金属膜的表面的一部分的焊盘开口部，所述第一个第二金属膜为环形状，在所述焊盘开口部之下具有开口部，所述开口部的边缘位于球焊中所使用的球形焊接器用毛细管前端的倒角的外侧，并且所述第一个第二金属膜在所述焊盘开口部的内侧露出既定露出量。