[发明专利]射极穿透式太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201380029649.X | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN104380477A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 郑堣元;赵在亿;李弘九;玄德焕;李龙和 | 申请(专利权)人: | 韩化石油化学株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;徐琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种射极穿透式太阳能电池及其制备方法。根据本发明的太阳能电池具有可使泄漏电流的发生最小化以及使能量转换效率测量误差最小化的结构。并且,根据本发明的太阳能电池的制备方法可容易地确认电极的定位状态,从而提供更高的生产率。 | ||
搜索关键词: | 穿透 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种射极穿透式太阳能电池,包括:第一导电型半导体基板(100),该基板具有在正常运行期间面向太阳的前侧和与所述前侧相对的后侧,其中,第一沟渠(10)和第二沟渠(20)形成在所述后侧同时被物理分离,并且形成至少一个通过所述第二沟渠穿透所述基板的通路孔(30);以及在所述第一沟渠(10)内部形成的第一导电型基极(15),以及在所述第二沟渠(20)和所述通路孔(30)内部形成的第二导电型射极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的