[发明专利]射极穿透式太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种射极穿透式太阳能电池，包括：

第一导电型半导体基板(100)，该基板具有在正常运行期间面向太阳的前侧和与所述前侧相对的后侧，其中，第一沟渠(10)和第二沟渠(20)形成在所述后侧同时被物理分离，并且形成至少一个通过所述第二沟渠穿透所述基板的通路孔(30)；以及

在所述第一沟渠(10)内部形成的第一导电型基极(15)，以及在所述第二沟渠(20)和所述通路孔(30)内部形成的第二导电型射极。

2.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，所述第一沟渠(10)和第二沟渠(20)彼此物理分离，并相互交错。

3.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，所述半导体基板(100)为p-型掺杂的硅片。

4.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，所述半导体基板(100)的前侧构造为不平坦结构。

5.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，所述半导体基板(100)具有150至220μm的厚度。

6.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，在所述基板的后侧各自独立地形成宽度为200至700μm且深度为20至60μm的第一沟渠(10)和第二沟渠(20)。

7.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，所述通路孔(30)具有25至100μm的直径。

8.根据权利要求1所述的射极穿透式太阳能电池，其中，所述基极(15)占据由所述第一沟渠(10)形成的全部空间，而所述射极(25)占据由所述第二沟渠(20)和所述通路孔(30)形成的全部空间。

9.一种射极穿透式太阳能电池的制备方法，包括：

制备第一导电型半导体基板(100)，该基板具有在正常运行期间面向太阳的前侧和与所述前侧相对的后侧；

在所述基板的后侧形成彼此物理分离的第一沟渠(10)和第二沟渠(20)，并且形成至少一个通过所述第二沟渠穿透所述基板的通路孔(30)；

在所述基板的前侧、在所述第二沟渠(20)的内侧和在所述通路孔(30)的内侧分别形成第二导电型射极层(40)；

在所述基板的后侧和在所述第一沟渠(10)的底侧形成钝化层(60)，并且在所述基板的前侧形成抗反射层(65)；以及

在所述第一沟渠(10)的内部形成第一导电型基极(15)，并且在所述第二沟渠(20)和所述通路孔(30)的内部形成第二导电型射极(25)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一沟渠(10)和第二沟渠(20)通过激光刻槽形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一沟渠(10)和第二沟渠(20)彼此物理分离，并相互交错。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述基板的后侧各自独立地形成宽度为200至700μm且深度为20至60μm的第一沟渠(10)和第二沟渠(20)。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述通路孔(30)通过激光打孔、湿法蚀刻、干法蚀刻、机械打孔、水注切削或其组合过程形成。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，形成基极(15)以占据由所述第一沟渠(10)形成的全部空间，以及形成射极(25)以占据由所述第二沟渠(20)和所述通路孔(30)形成的全部空间。