[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201380026644.1 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104321876A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤雄;增田健良;田中聪;平塚健二;岛津充;神原健司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/302;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成由碳化硅制成的、具有第一导电类型的第一层(121)。形成设置在所述第一层(121)上的、具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二层(122)和设置在第二层(122)上的、具有第一导电类型的第三层(123)。形成第二和第三层(122，123)的步骤包括执行杂质离子注入的步骤和执行用于活化通过杂质离子注入而注入的杂质的热处理的步骤。在执行热处理的步骤之后，形成具有穿透第三层(123)和第二层(122)的侧壁并且具有达到第一层(121)的底部的沟槽(TR)。形成栅极绝缘膜(201)以覆盖沟槽(TR)的侧壁。结果，提供具有低导通电阻的碳化硅半导体器件(500)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造碳化硅半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成由碳化硅制成的第一导电类型的第一层；形成位于所述第一层上的不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二层，以及位于所述第二层上的所述第一导电类型的第三层，形成第二和第三层的所述步骤包括执行杂质离子注入的步骤和执行用于活化通过所述杂质离子注入而注入的杂质的热处理的步骤；在执行热处理的所述步骤之后，形成沟槽，所述沟槽具有穿透所述第三层和所述第二层的侧壁并且具有达到所述第一层的底部；形成栅极绝缘膜，以覆盖所述沟槽的所述侧壁；以及在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。
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