[发明专利]源容器及气相沉积反应炉有效
申请号: | 201380025143.1 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN104520469B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 李明起;李庸懿;金彦政 | 申请(专利权)人: | 株式会社优尼特思;尹敏夏 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/448 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 张晶,王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及源容器及气相沉积反应炉。根据本发明的实施例的源容器包括容器,其包括内壁,所述内壁用于限定第一空间和第二空间,第一空间用于收容源材料,第二空间则与第一空间相邻,在第二空间混合有向内部引入的运载气体以及由源材料生成的蒸汽;运载气体流入流道,使容器的外部与第二空间相连通,包括露在第二空间内的流入端口;混合气体排出流道,使容器的外部与第二空间相连通,并包括露在第二空间内的排出端口;以及限流部件,在第二空间内扩张,在流入端口与排出端口之间提供第一流动障碍面。 | ||
搜索关键词: | 容器 沉积 反应炉 | ||
【主权项】:
一种源容器,其特征在于,包括:容器,其包括内壁,所述内壁用于限定第一空间和第二空间,所述第一空间用于收容源材料,所述第二空间则与所述第一空间相邻,在所述第二空间混合有向内部引入的运载气体以及由所述源材料生成的蒸汽;运载气体流入流道,使所述容器的外部与所述第二空间相连通,并包括露在所述第二空间内的流入端口;混合气体排出流道,使所述容器的外部与所述第二空间相连通,并包括露在所述第二空间内的排出端口;限流部件,在所述第二空间内扩张,在所述流入端口与所述排出端口之间提供第一流动障碍面;以及喷嘴,所述喷嘴包括多个通孔,所述多个通孔与流入流道相连通;其中,所述喷嘴与所述运载气体流入流道相结合;其中,所述多个通孔以向所述源材料的表面侧喷射所述运载气体的方式排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社优尼特思;尹敏夏,未经株式会社优尼特思;尹敏夏许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380025143.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的