[发明专利]源容器及气相沉积反应炉有效
申请号: | 201380025143.1 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN104520469B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 李明起;李庸懿;金彦政 | 申请(专利权)人: | 株式会社优尼特思;尹敏夏 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/448 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 张晶,王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容器 沉积 反应炉 | ||
1.一种源容器,其特征在于,包括:
容器,其包括内壁,所述内壁用于限定第一空间和第二空间,所述第一空间用于收容源材料,所述第二空间则与所述第一空间相邻,在所述第二空间混合有向内部引入的运载气体以及由所述源材料生成的蒸汽;
运载气体流入流道,使所述容器的外部与所述第二空间相连通,并包括露在所述第二空间内的流入端口;
混合气体排出流道,使所述容器的外部与所述第二空间相连通,并包括露在所述第二空间内的排出端口;
限流部件,在所述第二空间内扩张,在所述流入端口与所述排出端口之间提供第一流动障碍面;以及
喷嘴,所述喷嘴包括多个通孔,所述多个通孔与流入流道相连通;
其中,所述喷嘴与所述运载气体流入流道相结合;
其中,所述多个通孔以向所述源材料的表面侧喷射所述运载气体的方式排列。
2.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述第一流动障碍面包括一边横穿虚拟直线路径一边在所述第二空间内扩张的表面,所述虚拟直线路径被定义为从所述流入端口的中心连接到所述排出端口的中心的直线。
3.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述第一流动障碍面包括平面、曲面或多面体表面中的任意一种或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述第一流动障碍面与定义所述第二空间的所述内壁相分隔。
5.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,还包括第二流动障碍面,所述第二流动障碍面从所述第一流动障碍面的扩张端部向所述混合气体排出流道的中心轴侧延伸。
6.根据权利要求5所述的源容器,其特征在于,
还包括多个通孔,所述多个通孔形成于所述第二流动障碍面,与所述混合气体排出流道的流道中央端部相连通;
借助所述多个通孔来定义所述排出端口。
7.根据权利要求5所述的源容器,其特征在于,所述第一流动障碍面与所述第二流动障碍面的交叉角度在20°至70°的范围内。
8.根据权利要求5所述的源容器,其特征在于,所述第二流动障碍面以倾斜方式扩张。
9.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述运载气体流入流道的中心轴与所述混合气体排出流道的中心轴配置于同一线上。
10.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述运载气体流入流道从所述容器的外部经过所述第一空间而向所述第二空间延伸。
11.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述混合气体排出流道从所述容器的外部经过第一空间而向所述第二空间延伸。
12.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述喷嘴包括与所述第一流动障碍面相向的闭塞的表面。
13.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,还包括加热部件,所述加热部件插入于所述第一空间,由温度控制器进行控制。
14.根据权利要求1所述的源容器,其特征在于,所述源材料为液状或固状。
15.根据权利要求14所述的源容器,其特征在于,所述源材料在50℃至550℃的范围内具有10-6托至103托的蒸汽压。
16.一种气相沉积反应炉,其特征在于,所述气相沉积反应炉与根据权利要求1的所述源容器的所述混合气体排出流道相结合。
17.根据权利要求16所述的气相沉积反应炉,其特征在于,所述气相沉积反应炉用于制造有机发光器件。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的