[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201380024906.0 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN104303230B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，其特征在于，具有：在基板上形成的取向控制层；在所述取向控制层上形成的基底层；和在所述基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层，所述基底层包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层；和含有选自TaN、NbN和HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层，在所述氮化物基底层上形成有所述MgO基底层，所述磁记录介质是采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录的介质。
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