[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 201380024906.0 申请日: 2013-05-10
公开(公告)号: CN104303230B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/65
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 刘航,段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 再生 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质,其特征在于,具有:

在基板上形成的取向控制层;

在所述取向控制层上形成的基底层;和

在所述基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层,

所述基底层包含:

含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层;和

含有选自TaN、NbN和HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层,

在所述氮化物基底层上形成有所述MgO基底层,

所述磁记录介质是采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录的介质。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述取向控制层包含具有BCC结构的(100)取向的BCC基底层,所述BCC基底层包含Cr、Mo、Nb、Ta、V、W中的至少一种、或者以Cr为主成分且包含选自Mn、Mo、Ru、Ti、V和W中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述取向控制层包含由NiAl和RuAl形成的具有B2结构的B2基底层。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述磁性层以具有L10型晶体结构的FePt合金或CoPt合金为主成分,并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO和C中的至少一种的氧化物或元素。

5.一种磁记录再生装置,具备:

权利要求1所述的磁记录介质;

介质驱动部,其将所述磁记录介质沿记录方向驱动;

磁头,其具有对所述磁记录介质进行加热的激光发生部、将从所述激光发生部发生的激光向顶端部引导的波导路、和设置于所述顶端部的近场发生元件,进行针对所述磁记录介质的记录动作和再生动作;

磁头移动部,其使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对移动;和

记录再生信号处理系统,其进行向所述磁头的信号输入和来自所述磁头的输出信号的再生。

6.一种磁记录再生装置,具备:

权利要求1所述的磁记录介质;

介质驱动部,其将所述磁记录介质沿记录方向驱动;

向所述磁记录介质照射微波的元件;

磁头,其进行针对所述磁记录介质的记录动作和再生动作;

磁头移动部,其使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对移动;和

记录再生信号处理系统,其进行向所述磁头的信号输入和来自所述磁头的输出信号的再生。

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