[发明专利]用于半导体制造工艺监测及控制的旋转吸收光谱

摘要

本文提供用于半导体制造工艺监测与控制的方法与设备。在一些实施方式中，用于基板处理的设备可包括：工艺腔室，所述工艺腔室用于在所述工艺腔室的内部空间内处理基板；辐射源，所述辐射源设置于所述工艺腔室的外部，以提供频率在约200GHz至约2THz之间的辐射，所述辐射通过在真空工艺腔室的壁中的介电窗进入所述内部空间；检测器，所述检测器用于在信号已经穿过所述内部空间后检测所述信号；及控制器，所述控制器耦接到所述检测器并被配置以根据被检测到的信号确定所述内部空间内的物种的组分。

主权项

1.一种用于基板处理的设备，包含：工艺腔室，所述工艺腔室用于在所述工艺腔室的内部空间内处理基板；辐射源，所述辐射源设置于所述工艺腔室的外部，以提供频率在200GHz至2THz的辐射，所述辐射通过在所述工艺腔室的壁中的介电窗进入所述内部空间；检测器，所述检测器用于在所述辐射已经穿过所述内部空间后检测所述辐射；及控制器，所述控制器耦接到所述检测器并被配置以对所被检测到的辐射使用分子旋转吸收强度分析来确定所述内部空间内的物种的信息，其中确定所述内部空间内的所述物种的信息包括测量所述内部空间中产生的等离子体内的密度和温度，并且基于测量的所述密度与目标密度之间的密度偏差和测量的所述温度与目标温度之间的温度偏差而控制工艺。