[发明专利]高容量外延硅沉积系统的气体回收和减量系统有效
| 申请号: | 201380021827.4 | 申请日: | 2013-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN104246983B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
| 发明(设计)人: | 戴维·K·卡尔森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本文提供了气体回收和减量。在一些实施方式中,气体回收和减量系统可包括腔室,所述腔室具有界定内部容积的壁;第一主体,所述第一主体延伸到内部容积中且具有设置在第一主体中的沟道以将第一气体提供至腔室,其中所述第一主体与壁间隔开以在第一主体与壁之间界定反应容积;多个射频线圈,所述多个射频线圈设置成围绕第一主体以提供射频能量来加热第一主体,其中所述多个射频线圈被设置成在与第一主体相对的反应容积的一侧上接近腔室的壁;和陶瓷层,所述陶瓷层设置成围绕第一主体,其中所述陶瓷层具有一个或更多个开口,以通过陶瓷层将第二气体提供至腔室的反应容积。 | ||
| 搜索关键词: | 容量 外延 沉积 系统 气体 回收 | ||
【主权项】:
一种气体回收和减量系统,包括:腔室,所述腔室具有界定内部容积的壁;第一主体,所述第一主体延伸到所述内部容积中且具有设置在所述第一主体中的沟道以提供第一气体至所述腔室,其中所述第一主体与所述壁间隔开以在所述第一主体与所述壁之间界定反应容积;多个射频线圈,所述多个射频线圈设置成围绕所述第一主体以提供射频能量来加热所述第一主体,其中所述多个射频线圈被设置成在与所述第一主体相对的所述反应容积的一侧上接近所述腔室的所述壁;陶瓷层,所述陶瓷层设置成围绕所述第一主体,其中所述陶瓷层被设置在所述腔室内在与所述第一主体相对的所述反应容积的一侧上接近所述腔室壁,且其中所述陶瓷层具有一个或更多个开口以通过所述陶瓷层将第二气体提供到所述腔室的所述反应容积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





