[发明专利]高容量外延硅沉积系统的气体回收和减量系统有效

专利信息
申请号: 201380021827.4 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN104246983B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 戴维·K·卡尔森 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 徐金国,赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文提供了气体回收和减量。在一些实施方式中,气体回收和减量系统可包括腔室,所述腔室具有界定内部容积的壁;第一主体,所述第一主体延伸到内部容积中且具有设置在第一主体中的沟道以将第一气体提供至腔室,其中所述第一主体与壁间隔开以在第一主体与壁之间界定反应容积;多个射频线圈,所述多个射频线圈设置成围绕第一主体以提供射频能量来加热第一主体,其中所述多个射频线圈被设置成在与第一主体相对的反应容积的一侧上接近腔室的壁;和陶瓷层,所述陶瓷层设置成围绕第一主体,其中所述陶瓷层具有一个或更多个开口,以通过陶瓷层将第二气体提供至腔室的反应容积。
搜索关键词: 容量 外延 沉积 系统 气体 回收
【主权项】:
一种气体回收和减量系统,包括:腔室,所述腔室具有界定内部容积的壁;第一主体,所述第一主体延伸到所述内部容积中且具有设置在所述第一主体中的沟道以提供第一气体至所述腔室,其中所述第一主体与所述壁间隔开以在所述第一主体与所述壁之间界定反应容积;多个射频线圈,所述多个射频线圈设置成围绕所述第一主体以提供射频能量来加热所述第一主体,其中所述多个射频线圈被设置成在与所述第一主体相对的所述反应容积的一侧上接近所述腔室的所述壁;陶瓷层,所述陶瓷层设置成围绕所述第一主体,其中所述陶瓷层被设置在所述腔室内在与所述第一主体相对的所述反应容积的一侧上接近所述腔室壁,且其中所述陶瓷层具有一个或更多个开口以通过所述陶瓷层将第二气体提供到所述腔室的所述反应容积。
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