[发明专利]高容量外延硅沉积系统的气体回收和减量系统

权利要求书

1.一种气体回收和减量系统，包括：

腔室，所述腔室具有界定内部容积的壁；

第一主体，所述第一主体延伸到所述内部容积中且具有设置在所述第一主体中的沟道以提供第一气体至所述腔室，其中所述第一主体与所述壁间隔开以在所述第一主体与所述壁之间界定反应容积；

多个射频线圈，所述多个射频线圈设置成围绕所述第一主体以提供射频能量来加热所述第一主体，其中所述多个射频线圈被设置成在与所述第一主体相对的所述反应容积的一侧上接近所述腔室的所述壁；

陶瓷层，所述陶瓷层设置成围绕所述第一主体，其中所述陶瓷层被设置在所述腔室内在与所述第一主体相对的所述反应容积的一侧上接近所述腔室壁，且其中所述陶瓷层具有一个或更多个开口以通过所述陶瓷层将第二气体提供到所述腔室的所述反应容积。

2.如权利要求1所述的气体回收和减量系统，其中所述多个射频线圈被设置在所述内部容积中且被所述陶瓷层覆盖。

3.如权利要求1所述的气体回收和减量系统，其中所述陶瓷层的所述一个或更多个开口包括多个孔，以使得能够通过所述多个孔将所述第二气体提供至所述腔室。

4.如权利要求1至3中任一项所述的气体回收和减量系统，进一步包括：

第二主体，所述第二主体设置成围绕所述第一主体且与所述第一主体间隔开以在所述第二主体与所述第一主体之间界定第二内部容积，其中所述反应容积被设置在所述第二主体与所述腔室的所述壁之间。

5.如权利要求4所述的气体回收和减量系统，其中所述第一主体包括碳化硅涂布的石墨且所述第二主体包括不透明石英。

6.如权利要求4所述的气体回收和减量系统，进一步包括：

第一入口，所述第一入口用于将第三气体提供至所述第二内部容积。

7.如权利要求4所述的气体回收和减量系统，进一步包括：

多个管道，所述多个管道设置在所述第二内部容积中且耦接到所述第一主体和第二主体以将所述第一气体从所述第一主体传导至所述反应容积，其中所述多个管道将所述第一气体与所述第二内部容积隔离。

8.如权利要求4所述的气体回收和减量系统，进一步包括：

多个进水口，所述多个进水口设置在所述反应容积下方以提供水(H₂O)而捕获反应产物，所述反应产物由在所述反应容积中的所述第一气体和第二气体的反应形成。

9.如权利要求1至3中任一项所述的气体回收和减量系统，进一步包括：

前级管道，所述前级管道用于将来自基板处理系统的所述第一气体提供至所述腔室，所述前级管道具有耦接到基板处理系统的排气出口的第一端和耦接到所述腔室的第二端。

10.如权利要求9所述的气体回收和减量系统，进一步包括：

冷却捕集器，所述冷却捕集器在所述前级管道的所述第一端与所述第二端之间耦接到所述前级管道，以当所述第一气体流经所述前级管道时通过从所述第一气体去除可冷凝材料来回收工艺气体。