[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 201380019823.2 | 申请日: | 2013-04-12 |
公开(公告)号: | CN104321461B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | D.S.米斯拉 | 申请(专利权)人: | 二A科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/54;H01J37/32;C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 严志军,谭祐祥 |
地址: | 新加坡新加坡市珠烈街6*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于生长钻石的装置,该装置包括一个或多个腔室,每个腔室与一个或多个其他腔室流体连接,每个腔室包括腔室内的一个或多个基底载置台组件以支承基底载置台,该基底载置台具有布置在其上的多个钻石晶种。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种用于生长钻石的装置,所述装置包括:一个或多个腔室,当存在两个或更多个腔室时,每个腔室彼此或者相互流体连接,每个腔室包括在所述腔室内的一个或多个基底载置台组件用于支承基底载置台,所述基底载置台具有布置在其上的多个钻石晶种,其特征在于,每个腔室被用于允许气体流动通过,从而气体的纯度随着气体经过每个腔室而改善。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于二A科技有限公司,未经二A科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380019823.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:对数据单元进行路由的方法
- 下一篇:纤维堆积装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的