[发明专利]气体供给装置和基板处理装置有效
申请号: | 201380019330.9 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN104205309B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 内田阳平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本,*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供能够使等离子体在处理空间中更均匀地分布的气体供给装置。从处理气体供给源和附加气体供给源向处理空间(S)供给处理气体和附加气体的喷头(13)(气体供给装置)包括:多个气体分配板(28~31)、冷却板(32)和盖板(33),将气体分配板(28~31)、冷却板(32)和盖板(33)层叠,在最下层的气体分配板(28)上形成周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36),在各个气体分配板(28~31)上至少形成一个从处理气体供给源和附加气体供给源向周缘气体扩散室(35)和最外气体扩散室(36)的任意一个供给处理气体和附加气体的气体供给路径(52)(53、54或55),例如,气体分配板(31)的气体供给路径(52)分支成多个分支路径(52b~52e),从处理气体供给源至各个分支路径(52b~52e)的前端为止的距离相同。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种气体供给装置,其从气体供给源向处理空间供给气体,所述气体供给源包括处理气体供给源和附加气体供给源,所述气体供给装置的特征在于,包括:与所述处理空间相对且具有多个贯通孔的相对板;多个气体分配板;和盖板,将所述相对板、所述多个气体分配板和盖板依次层叠,在最靠近所述相对板的所述气体分配板中的所述相对板侧的面上形成有多个气体扩散室,在各个所述气体分配板上,至少形成有一个从所述处理气体供给源单独向所述气体扩散室的任意一个供给处理气体的气体供给路径和一个从所述附加气体供给源单独向所述多个气体扩散室的任意一个供给附加气体的气体供给路径,在各个所述气体分配板中,所述气体供给路径分支成多个分支路径,从所述气体供给源至各个所述分支路径的前端为止的距离相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造