[发明专利]气体供给装置和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及向将处理基板的处理空间分割而形成的多个区域分配供给气体的气体供给装置和基板处理装置。

背景技术

在将作为基板的半导体器件用晶片(以下简称“晶片”)收纳在处理室并且利用在该处理室内生成的等离子体对晶片实施等离子体处理的基板处理装置中，为了对晶片均匀地实施等离子体处理，必须使等离子体在与处理室内的晶片相对的处理空间中均匀地分布。

等离子体的分布受处理空间中的处理气体分布的影响，因此，提出一种基板处理装置，其将处理空间分割成多个区域，能够控制向各个区域导入的处理气体的流量(例如，参照专利文献1)。

在上述基板处理装置中，与在面对处理空间的喷头内分割而成的多个区域各自对应地设置有多个气体扩散室，供给至各个气体扩散室的处理气体通过多个气体孔被导入各个区域，但是通过调整向各个气体扩散室供给的处理气体的流量，来控制向各个区域导入的处理气体的流量。

并且，为了使处理气体在各区域中均等地分布，优选使处理气体在各个气体扩散室中均等地分布，因此，将用来向各个气体扩散室供给气体的多个气体供给口关于该气体扩散室的中心对称且均等地配置，并且，使从气体供给源至各个气体供给口的各个气体供给路径的距离相同(例如，参照专利文献2)。

在专利文献2中，设置图24所示的、均等地配置有上下贯通的多个气体供给口250a、250b的板状歧管(气体分配板)251，在歧管251的上表面形成分支的气体供给槽252a、252b，在各个气体供给槽252a、252b中，将从与气体供给源(图中未示)的连通部位253a、253b至各个气体供给口250a、250b为止的距离设定成相同。

由此，能够在相同时刻且以相同压力从各个气体供给口250a供给处理气体，并且能够在相同时刻且以相同压力从各个气体供给口250b供给处理气体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-117477号公报

专利文献2：美国专利第7674394号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，今后晶片的大口径化将会进一步加快，并且，还要求等离子体处理、例如通过干蚀刻处理进行的加工的微细化，因此，必须使等离子体在处理空间中更加均匀地分布。因此，需要在喷头中增加气体扩散室的数量将处理空间分割成更多的区域，在专利文献2中，在一个气体分配板上形成多个气体供给槽，因此，如果考虑各个气体供给槽彼此的干扰等，则能够形成的气体供给槽的数量受到限制。其结果是，存在无法增加与各个气体供给槽对应的气体扩散室的数量，无法使等离子体在处理空间中更加均匀地分布这样的问题。

本发明的目的在于，提供一种能够使等离子体在处理空间中更均匀地分布的气体供给装置和基板处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

根据本发明，提供一种气体供给装置，其从气体供给源向处理空间供给气体，上述气体供给装置的特征在于，包括：与上述处理空间相对且具有多个贯通孔的相对板；多个气体分配板；和盖板，将上述相对板、上述多个气体分配板和盖板依次层叠，在最靠近上述相对板的上述气体分配板中的上述相对板侧的面上形成有多个气体扩散室，在各个上述气体分配板上，至少形成有一个从上述气体供给源向上述气体扩散室的任意一个供给上述气体的气体供给路径，在各个上述气体分配板中，上述气体供给路径分支成多个分支路径，从上述气体供给源至各个上述分支路径的前端为止的距离相同。

在本发明中，优选各个上述分支路径的传导率相同。

在本发明中，优选上述气体供给装置隔着上述处理空间与圆板状的基板相对，上述多个气体扩散室包括多个槽状空间，上述多个槽状空间以与比上述基板的外缘更靠外侧相对的方式形成。

在本发明中，优选上述多个气体分配板各自由圆板状部件构成，上述多个气体扩散室包括：形成于上述圆板状部件的中心的圆板状空间；和与该圆板状空间呈同心状地形成的上述多个槽状空间。

在本发明中，优选从附加气体供给源单独向各个上述多个气体扩散室供给附加气体。