[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380015827.3 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104205315B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 伊藤慎吾 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种耐湿性和高温保存特性优异的半导体装置。半导体装置具有包括芯片焊盘部和内引线部的引线框作为基板，该半导体装置还具有搭载于芯片焊盘部的半导体元件；设置于半导体元件的电极焊盘；将设置于基板的内引线部和电极焊盘连接的铜线；和封装半导体元件和铜线的封装树脂。在深度方向上距离与铜线的接合面至少3μm以下的范围内的电极焊盘的区域，含有离子化倾向比铝小的金属作为主要成分，铜线中的硫含量相对于铜线整体为15ppm以上100ppm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：搭载于基板的半导体元件；设置于所述半导体元件的电极焊盘；将设置于所述基板的连接端子和所述电极焊盘连接的铜线；和封装所述半导体元件和所述铜线的封装树脂，在深度方向上距离与所述铜线的接合面3μm以下的范围内的所述电极焊盘的区域含有离子化倾向比铝小的金属作为主要成分，所述铜线中的硫含量相对于所述铜线整体为15ppm以上100ppm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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