[发明专利]用于制备III‑N单晶的方法以及III‑N单晶

摘要

本发明涉及制备III‑N模板，并且还涉及制备III‑N单晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一种选自Al、Ga和In的元素。通过在晶体生长过程中设定特定的参数，可以获得III‑N模板，该模板为在异质衬底上生长的晶体层赋予获得模板形式或甚至具有大的III‑N层厚的无裂纹III‑N单晶的特性。

主权项

用于制备模板的方法，所述模板包括衬底和至少一个III‑N晶体层，其中III表示元素周期表第三主族的至少一种选自Al、Ga和In的元素，其中所述方法包括以下步骤：a)准备衬底，b)在第一晶体生长温度下在衬底上进行晶体III‑N材料的生长，c)将在雏晶聚结开始的时间点的温度改变成第二温度，所述第二温度相对于第一晶体生长温度有所改变，然而在所述第二温度仍然可以进行晶体生长，所述温度改变在继续晶体生长期间进行，d)继续晶体生长，以在相对于第一生长温度有所改变的范围内在聚结的III‑N雏晶上形成III‑N晶体，在该步骤d)中不添加In，条件是，如果所使用的衬底具有比直到步骤d)中所要生长的III‑N晶体更高的热膨胀系数，则步骤c)中的第二温度低于所述第一温度，和在步骤d)中在第一生长温度以下继续晶体生长，或如果所使用的衬底具有比直到步骤d)所要生长的III‑N晶体更低的热膨胀系数，则步骤c)中的第二温度高于所述第一温度，和在步骤d)中在第一生长温度以上继续晶体生长。